发布日期:2026-08-16 06:29 点击次数:70

8月11日,英特尔CEO陈立武在参加一档播客节目时泄露,公司正在磋议新的内存架构,并探索让CPU与内存进一步堆叠整合的可能性。
陈立武还提到,本年6月加盟英特尔的前SK海力士CEO李锡熙。后者目下担任英特尔代工业务引申副总裁,厚爱先进封装、系统集成以及后端技艺开垦和制造。陈立武在谈及此项安排时暗示,外界“约略不错猜到”他正在商量什么目的,不外目下还莫得准备公开更多细节。

英特尔晶圆代工引申副总裁李锡熙Intel
事实上,本年以来英特尔照旧握续在内存和先进封装鸿沟伸开动作。
2月,英特尔与软银旗下SAIMEMORY文书结合开垦ZAM(Z-Angle Memory)。该技艺面向AI和高性能计较,重点处理内存容量、带宽和功耗之间的均衡问题。关系原型蓄意在结束2028年3月的2027财年完成开垦,并于2029财年激动营业化。
ZAM部分技艺源自英特尔此前参与的NGDB(下一代DRAM键合)名目。该名目照旧完成8层DRAM垂直堆叠测试,磋议若何通过改良DRAM的堆叠和贯串样式来减少高带宽对内存在容量上的捐躯。

NGDB DRAM测评器具桑迪亚国度施行室
到了7月,英特尔一项对于Cross-Batch Memory(XBM)的专利肯求被媒体流露。XBM仍选拔DRAM,用后说念工艺(BEOL)晶体管和串行UCIe链路取代HBM的超宽并行接口。这种想象不错在占用与HBM4邻近封装面积的情况下,省去传统HBM所依赖的硅中介层,并松开全体封装,从而指责拼装复杂度和成本。
与此同期,英特尔还在连续激动与这些内存架构荒谬套的先进封装和3D集成技艺包括EMIB、Foveros以及面向3D集成的18A-PT工艺等。
把这些动作放沿途就能看出,英特尔目下押注的并非精真金不怕火复原传统DRAM或NAND坐褥,而是思在内存架构上寻找新的切进口。
这亦然陈立武对内存业务气魄滚动的原因。他在访谈中坦言,我方往常并不看好内存业务。在他看来,传统内存长期具有彰着的周期性和商品化属性,“我以前的不雅点是不要投资内存,因为这是巨额商品生意,但当今情况变了。”
变化最初来自AI计较。往常CPU、GPU和内存通常行为相对孤苦的芯片存在,但跟着大模子西席和推理多数据模糊量的条目不休晋升,数据搬运成为新的性能和功耗瓶颈,行业也运转进一步探索HBM以外更精细的芯片堆叠和系统集成。
陈立武这次也平直把CPU与内存堆叠放在沿途磋议,合计两者之间仍有新的组合样式,并不错通过蜕变内存架构进一步裁汰CPU与存储之间的距离。
不外,多家媒体指出英特尔转头内存阛阓的远景尚不开朗。Tom's Hardware指出,要是英特尔果然复原大限制内存制造,不仅需要再行参加晶圆厂,还要建设具有竞争力的制造工艺,并承担较长的成立和考证周期。在英特尔仍需要握续参加CPU家具和代工业务的情况下,公司是否容或再次为传统内存参增多数本钱仍存在疑问。
韩国ZDNet也合计,陈立武这次表态不应被领会为英特尔准备复原通用DRAM业务,而更可能意味着公司正在晋升对下一代内存技艺的参加。
即便新的内存架构能够完结营业化,进入AI阛阓相通并遏抑易。《营业邮报》指出,目下英伟达占据跳跃80%的AI加快器阛阓,其硬件和软件生态照旧围绕HBM建设,新的内存架构很难在短期内全面替代HBM。即使ZAM后续完结量产,也更可能先出当今定制AI芯片或部分以推理为主的家具中,行为HBM的补充。
对于英特尔而言,这种徘徊并不生分。公司成立之初恰所以内存起家,1969年推出3101 SRAM,1970年又推出1103 DRAM。到了上世纪80年代,跟着日本厂商在DRAM阛阓快速膨大,英特尔渐渐退出这一业务,并将要点转向微处理器。
尔后🦄九游下载中心_九游游戏中心官网,英特尔又通过NAND闪存和傲腾再行进入存储阛阓,但最终再次收缩。2020年,公司文书将NAND及SSD业务出售给SK海力士,关系交游于2025年完成,傲腾家具也照旧住手后续开垦。


